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MJD350T4
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MJD350T4 技术参数、封装参数

MJD350T4 外形尺寸、物理参数、其它

MJD350T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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MJD350 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Fairchild(飞兆/仙童)
高电压功率晶体管D- PAK表面贴装应用 High Voltage Power Transistors D-PAK for Surface Mount Applications
ON Semiconductor(安森美)
高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors
Diodes(美台)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJD350T4G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  MJD350T4  单晶体管 双极, PNP, 300 V, 15 W, -500 mA, 30 hFE
Diodes(美台)
晶体管-双极-BJT-单-PNP-300V-500mA-15W-表面贴装型-TO-252-2
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MJD350TF , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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