类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -300 V |
额定电流 | -500 mA |
封装 | TO-252-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 15 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
最小电流放大倍数 | 30 @50mA, 10V |
最大电流放大倍数 | 240 |
额定功率(Max) | 15 W |
直流电流增益(hFE) | 30 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 15000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 6.2 mm |
高度 | 2.4 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
高电压晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Fairchild(飞兆/仙童)
高电压功率晶体管D- PAK表面贴装应用 High Voltage Power Transistors D-PAK for Surface Mount Applications
ON Semiconductor(安森美)
高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD350T4G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE
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STMICROELECTRONICS MJD350T4 单晶体管 双极, PNP, 300 V, 15 W, -500 mA, 30 hFE
Diodes(美台)
晶体管-双极-BJT-单-PNP-300V-500mA-15W-表面贴装型-TO-252-2
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MJD350TF , PNP 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:30, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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