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MJD42C1G
来自 AiPCBA

MJD42C1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-251-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJD42C1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -100 V, 3 MHz, 20 W, -6 A, 15 hFE 新
PDF文件:MJD42C1G 数据手册 (7 页)封装尺寸在6 页7 页
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MJD42C1G 数据手册 (7 页)
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MJD42C1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率3 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-100 V
额定电流-6.00 A
封装TO-251-3
针脚数3 Position
极性PNP
功耗20 W
击穿电压(集电极-发射极)100 V
集电极最大允许电流6A
最小电流放大倍数15 @3A, 4V
额定功率(Max)1.75 W
直流电流增益(hFE)15
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)1750 mW
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MJD42C1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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MJD42C1G 数据手册

MJD42C1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.08 MByte
MJD42C1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.21 MByte
MJD42C1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.12 MByte
MJD42C1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.04 MByte

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