| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 8.00 A |
| 封装 | TO-251-3 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 8A |
| 最小电流放大倍数 | 40 @4A, 1V |
| 额定功率(Max) | 1.75 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 8 A 85MHz 1.75 W 通孔 I-PAK
ON Semiconductor（安森美）
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互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
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