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MJD44H11-1G
来自 AiPCBA

MJD44H11-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-251-3
描述:互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
PDF文件:MJD44H11-1G 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页9 页
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焊盘图
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MJD44H11-1G 数据手册 (9 页)
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MJD44H11-1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率85 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)80.0 V
额定电流8.00 A
封装TO-251-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
极性NPN
功耗20 W
增益频宽积85 MHz
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流8A
最小电流放大倍数60
额定功率(Max)1.75 W
直流电流增益(hFE)60
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)1750 mW
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MJD44H11-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度6.73 mm
宽度2.38 mm
高度6.35 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MJD44H11-1G 数据手册

MJD44H11-1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.08 MByte
MJD44H11-1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.07 MByte
MJD44H11-1G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.08 MByte
MJD44H11-1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
13 页 / 0.34 MByte

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