类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 85 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 80.0 V |
额定电流 | 8.00 A |
封装 | TO-252-3 |
无卤素状态 | Halogen Free |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 20 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
集电极最大允许电流 | 8A |
最小电流放大倍数 | 40 @4A, 1V |
额定功率(Max) | 1.75 W |
直流电流增益(hFE) | 60 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1750 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.38 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor
●### 标准
●带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor(安森美)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS MJD44H11T4 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
硅功率晶体管 SILICON POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJD44H11T4G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新
ST Microelectronics(意法半导体)
互补功率晶体管 Complementary power transistors
ST Microelectronics(意法半导体)
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