| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -80.0 V |
| 额定电流 | -8.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 20 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 8A |
| 最小电流放大倍数 | 60 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.38 mm |
| 最小包装数量 | 2500 |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJD45H11G 单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJD45H11RLG 单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 40 hFE
ON Semiconductor（安森美）
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MJD45H11T4 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 20 W, -8 A, 40 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJD45H11TM 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 1.75 W, -8 A, 40 hFE
ON Semiconductor（安森美）
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor（安森美）
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor MJD45H11TF , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 1 MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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