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MJD45H11-001G
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MJD45H11-001G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-251
描述:互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
PDF文件:MJD45H11-001G 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页8 页
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MJD45H11-001G 数据手册 (8 页)
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MJD45H11-001G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率90 MHz
引脚数3 Pin
封装TO-251
极性PNP
功耗20 W
击穿电压(集电极-发射极)80 V
集电极最大允许电流8A
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1750 mW
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MJD45H11-001G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Rail
材质Silicon
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MJD45H11-001G 数据手册

MJD45H11-001G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.12 MByte

MJD45H11001 数据手册

MJD45H11-001 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
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