MJD45H11-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	TO-251-3
描述:	PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管
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MJD45H11-1G 数据手册 (9 页)

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MJD45H11-1G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
频率	90 MHz
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	-80.0 V
额定电流	-8.00 A
封装	TO-251-3
无卤素状态	Halogen Free
针脚数	3 Position
极性	PNP
功耗	20 W
击穿电压(集电极-发射极)	80 V
集电极最大允许电流	8A
最小电流放大倍数	40 @4A, 1V
额定功率(Max)	1.75 W
直流电流增益(hFE)	60
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	1750 mW

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MJD45H11-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
材质	Silicon
长度	6.73 mm
宽度	2.38 mm
高度	6.22 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MJD45H11-1G 符合标准

MJD45H11-1G 海关信息

MJD45H11-1G 概述

MJD45H11-1G 数据手册

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MJD45H11-1G 其他数据使用手册

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MJD45H11-1G 产品设计图

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MJD45H11-1G 开发手册

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MJD45H11-1G 产品修订记录

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PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

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