| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -350 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 15 W |
| 增益频宽积 | 10 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 350 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 30 @300mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 1.56 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1560 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.38 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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高电压PNP硅功率晶体管 High Voltage PNP Silicon Power Transistors
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ON SEMICONDUCTOR MJD5731T4G. 双极性晶体管
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