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MJD5731T4G
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MJD5731T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-252-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJD5731T4G.  双极性晶体管
PDF文件:MJD5731T4G 数据手册 (2 页)
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焊盘图
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MJD5731T4G 数据手册 (2 页)
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MJD5731T4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率10 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-350 V
额定电流-1.00 A
封装TO-252-3
针脚数4 Position
极性PNP, P-Channel
功耗15 W
击穿电压(集电极-发射极)350 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数30 @300mA, 10V
额定功率(Max)1.56 W
直流电流增益(hFE)10
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1560 mW
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MJD5731T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MJD5731T4G 数据手册

MJD5731T4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.19 MByte
MJD5731T4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.2 MByte
MJD5731T4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.07 MByte
MJD5731T4G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.04 MByte

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ON SEMICONDUCTOR  MJD5731T4G.  双极性晶体管
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