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MJE13009G
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MJE13009G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
描述:12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS
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焊盘图
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MJE13009G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率4 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)400 V
额定电流12.0 A
封装TO-220-3
额定功率100 W
极性NPN
功耗100 W
击穿电压(集电极-发射极)400 V
集电极最大允许电流12A
最小电流放大倍数8
最大电流放大倍数40
额定功率(Max)2 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)100000 mW
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MJE13009G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.28 mm
宽度4.82 mm
高度9.28 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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MJE13009G 数据手册

MJE13009G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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MJE13009 数据手册

MJE13009 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS
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