类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
频率 | 30 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 350 V |
额定电流 | 4.00 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 50 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 350 V |
集电极最大允许电流 | 4A |
最小电流放大倍数 | 10 @2A, 5V |
额定功率(Max) | 2 W |
直流电流增益(hFE) | 100 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 2000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
宽度 | 4.83 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 30MHz 通孔 TO-220AB
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4.0安培功率晶体管互补硅350伏50瓦 4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 350 VOLTS 50 WATTS
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ON SEMICONDUCTOR MJE15034G. 晶体管, NPN
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