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MJE18006G
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MJE18006G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
描述:NPN双极型功率晶体管开关电源的应用 NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply Applications
PDF文件:MJE18006G 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
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MJE18006G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)450 V
额定电流6.00 A
封装TO-220-3
极性NPN
击穿电压(集电极-发射极)450 V
集电极最大允许电流6A
最小电流放大倍数6 @3A, 1V
额定功率(Max)100 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)100000 mW
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MJE18006G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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MJE18006G 数据手册

MJE18006G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.19 MByte
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