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MJE210
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MJE210 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:硅PNP晶体管 SILICON PNP TRANSISTOR
PDF文件:MJE210 数据手册 (4 页)原理图在1 页
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MJE210 数据手册 (4 页)
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MJE210 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-40.0 V
额定电流-5.00 A
封装TO-126-3
极性P-Channel
功耗1500 mW
击穿电压(集电极-发射极)25 V
最小电流放大倍数45 @2A, 1V
最大电流放大倍数180
额定功率(Max)1.5 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)1500 mW
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MJE210 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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MJE210 数据手册

MJE210 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.05 MByte
MJE210 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.15 MByte
MJE210 开发手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.16 MByte
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