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MJE210STU
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MJE210STU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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焊盘图
引脚图
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MJE210STU 数据手册 (4 页)
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MJE210STU 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-126-3
击穿电压(集电极-发射极)25 V
最小电流放大倍数45 @2A, 1V
额定功率(Max)15 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)15000 mW
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MJE210STU 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
材质Silicon
长度8 mm
宽度3.25 mm
高度11 mm
工作温度150℃ (TJ)
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MJE210STU 数据手册

MJE210STU 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.04 MByte
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