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MJE253G
来自 AiPCBA

MJE253G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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焊盘图
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产品图
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MJE253G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
频率40 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-100 V
额定电流-4.00 A
封装TO-126-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
极性PNP
功耗15 W
击穿电压(集电极-发射极)100 V
热阻8.34℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流4A
最小电流放大倍数40 @200mA, 1V
最大电流放大倍数180
额定功率(Max)1.5 W
直流电流增益(hFE)40
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)15000 mW
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MJE253G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
长度7.74 mm
宽度2.66 mm
高度11.04 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃
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MJE253G 数据手册

MJE253G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.08 MByte
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