| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 2 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -10.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 75 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 20 @4A, 4V |
| 最大电流放大倍数 | 70 |
| 额定功率(Max) | 75 W |
| 直流电流增益(hFE) | 20 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 75000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
PNP 功率晶体管，STMicroelectronics
●### 双极晶体管，STMicroelectronics
●STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MJE2955T 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 20 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJE2955TG 双极晶体管
Fairchild（飞兆/仙童）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon
ON Semiconductor（安森美）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon
ON Semiconductor（安森美）
互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
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