| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 75 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 20 @4A, 4V |
| 额定功率(Max) | 600 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 5 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 75 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 9.9 mm |
| 宽度 | 4.5 mm |
| 高度 | 14.2 mm |
功率 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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CJ（长电科技）
NPN 10A/60V 75W 大功率音频功放管。
Fairchild（飞兆/仙童）
通用和开关应用 General Purpose and Switching Applications
ON Semiconductor（安森美）
互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
Micro Commercial Components（美微科）
ST Microelectronics（意法半导体）
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