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MJE350
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MJE350 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:STMICROELECTRONICS  MJE350  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE
PDF文件:MJE350 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页6 页
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焊盘图
引脚图
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MJE350 数据手册 (8 页)
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MJE350 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-300 V
额定电流-500 mA
封装TO-126-3
针脚数3 Position
极性PNP, P-Channel
功耗20.8 W
击穿电压(集电极-发射极)300 V
最小电流放大倍数30 @50mA, 10V
额定功率(Max)20.8 W
直流电流增益(hFE)240
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)2800 mW
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MJE350 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度7.8 mm
宽度2.7 mm
高度10.8 mm
工作温度150℃ (TJ)
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MJE350 数据手册

MJE350 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.58 MByte
MJE350 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.13 MByte
MJE350 开发手册
ST Microelectronics（意法半导体）
3 页 / 0.09 MByte
MJE350 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte
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