| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -300 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | TO-126-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 20 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 热阻 | 6.25℃/W (RθJC) |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 30 |
| 额定功率(Max) | 20 W |
| 直流电流增益(hFE) | 240 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 20000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 7.74 mm |
| 宽度 | 2.66 mm |
| 高度 | 11.04 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
高电压晶体管，ON Semiconductor
●### 标准
●带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MJE350 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE
ON Semiconductor（安森美）
功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTOR PNP SILICON
Multicomp
MULTICOMP MJE350 单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
高电压通用应用 High Voltage General Purpose Applications
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