| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-126-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 20 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 最小电流放大倍数 | 30 @50mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 20 W |
| 直流电流增益(hFE) | 30 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 20000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 8 mm |
| 宽度 | 3.25 mm |
| 高度 | 11 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
高电压 PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor（安森美）
18 页 / 0.84 MByte
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.03 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MJE350 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 20.8 W, -500 mA, 240 hFE
ON Semiconductor（安森美）
功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTOR PNP SILICON
Multicomp
MULTICOMP MJE350 单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 20 W, -500 mA, 30 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
高电压通用应用 High Voltage General Purpose Applications
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
