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MJE5730
来自 AiPCBA

MJE5730 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
描述:高电压PNP硅塑料功率晶体管 High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors
PDF文件:MJE5730 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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MJE5730 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)-300 V
额定电流1.00 A
封装TO-220-3
极性PNP
功耗40 W
击穿电压(集电极-发射极)300 V
集电极最大允许电流1A
最小电流放大倍数30 @300mA, 10V
最大电流放大倍数150
额定功率(Max)40 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
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MJE5730 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度10.28 mm
宽度4.82 mm
高度9.28 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量50
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MJE5730 数据手册

MJE5730 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.07 MByte
MJE5730 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
31 页 / 0.08 MByte
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