| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 400 V |
| 额定电流 | 8.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 输出电压 | 400 V |
| 输出电流 | 8 A |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 80 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 400 V |
| 热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
| 集电极最大允许电流 | 8A |
| 最小电流放大倍数 | 200 @2A, 5V |
| 最大电流放大倍数 | 100 |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 直流电流增益(hFE) | 400 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 100 W |
| 输入电压 | 8 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.28 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管，On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
NPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJE5742G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 400 V, 80 W, 8 A, 400 hFE
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