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MJE802
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MJE802 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-126-3
描述:硅NPN功率达林顿晶体管 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS
PDF文件:MJE802 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页6 页
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MJE802 数据手册 (8 页)
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MJE802 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)80.0 V
额定电流4.00 A
封装TO-126-3
极性NPN
功耗40 W
击穿电压(集电极-发射极)80 V
最小电流放大倍数750 @1.5A, 3V
额定功率(Max)40 W
直流电流增益(hFE)750
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)40000 mW
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MJE802 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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MJE802 数据手册

MJE802 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.25 MByte
MJE802 开发手册
ST Microelectronics（意法半导体）
6 页 / 0.13 MByte
MJE802 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.16 MByte
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