| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 80.0 V |
| 额定电流 | 4.00 A |
| 封装 | TO-225-3 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 输出电压 | 80 V |
| 输出电流 | 4 A |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 40 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 4A |
| 最小电流放大倍数 | 750 @1.5A, 3V |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40000 mW |
| 输入电压 | 5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 7.8 mm |
| 宽度 | 2.66 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY
ST Microelectronics（意法半导体）
硅NPN功率达林顿晶体管 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS
Fairchild（飞兆/仙童）
整体结构采用内置基地 - 发射极电阻 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
National Semiconductor（美国国家半导体）
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