| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 4 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -250 V |
| 额定电流 | -16.0 A |
| 封装 | TO-264-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 250 V |
| 热阻 | 0.7℃/W (RθJC) |
| 集电极最大允许电流 | 16A |
| 最小电流放大倍数 | 25 @8A, 5V |
| 最大电流放大倍数 | 75 |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 直流电流增益(hFE) | 75 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 20.3 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 29 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor
●### 标准
●带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
硅功率晶体管 Silicon Power Transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJL21193G 单晶体管 双极, 音频, PNP, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFE
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