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MJW21195
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MJW21195 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-247-3
描述:硅功率晶体管 Silicon Power Transistors
PDF文件:MJW21195 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
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MJW21195 数据手册 (7 页)
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MJW21195 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)-250 V
额定电流-16.0 A
封装TO-247-3
极性PNP
功耗200 W
击穿电压(集电极-发射极)250 V
集电极最大允许电流16A
最小电流放大倍数20 @8A, 5V
额定功率(Max)200 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
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MJW21195 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.08 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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MJW21195 数据手册

MJW21195 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.15 MByte
MJW21195 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
22 页 / 0.07 MByte
MJW21195 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.05 MByte
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