MKP386M422200JT2 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

MKP386M 系列通过钳位电压和振铃电流降低 EMI 高脉冲强度（dv/dt 高达 2500 V/μs） 低电感结构（低 ESL） 低等效串联电阻 可直接安装在 IGBT 模块上 应用包括光伏和风能逆变器、电动机驱动器和频率转换器

VISHAY  MKP386M422200JT4  膜电容, MKP386M系列, 0.22 µF, ± 5%, PP(聚丙烯), 2 kV