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MKP386M520125JT3
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MKP386M520125JT3 技术参数、封装参数

MKP386M520125JT3 数据手册

Vishay BC Components(威世)
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MKP386M520125 数据手册

VISHAY(威世)
MKP386M 系列通过钳位电压和振铃电流降低 EMI 高脉冲强度(dv/dt 高达 2500 V/μs) 低电感结构(低 ESL) 低等效串联电阻 可直接安装在 IGBT 模块上 应用包括光伏和风能逆变器、电动机驱动器和频率转换器
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  MKP386M520125JT4  膜电容, MKP386M系列, 2 µF, ± 5%, PP(聚丙烯), 1.25 kV
Vishay BC Components(威世)
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