| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 电容 | 1.50 pF |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 正向电压 | 1.1V @100mA |
| 功耗 | 225 mW |
| 反向恢复时间 | 4 ns |
| 正向电压(Max) | 1.25V @150mA |
| 正向电流(Max) | 0.2 A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
反向电压VrReverse Voltage| 100V
●\---|---
●平均整流电流IoAverage Rectified Current| 200mA/0.2A
●最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.1V
●反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4.0ns
●最大耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W
●Description & Applications| FeAtures • DuAl Switching Diode
●描述与应用| 特点 •双开关二极管
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.11 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBD7000 二极管 小信号, 双系列, 100 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 2 A
ON Semiconductor（安森美）
MMBD 系列 350 mW 100 V 200 mA 表面贴装 小信号 二极管 - SOT-23
Diodes（美台）
双小信号开关二极管 DUAL SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE
Infineon（英飞凌）
硅开关二极管阵列用于高速开关应用，根据AEC Q101标准 Silicon Switching Diode Array For high-speed switching applications Qualified according AEC Q101
Micro Commercial Components（美微科）
Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
