| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 70.0 V |
| 额定电流 | 100 mA |
| 电容 | 1.0 pF |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 输出电流 | ≤100 mA |
| 正向电压 | 0.42 V |
| 极性 | Standard |
| 功耗 | 200 mW |
| 正向电流 | 10 mA |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 125 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 125℃ |
反向电压VrReverse Voltage| 70V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 10mA 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Dual Hot Carrier Mixer Diodes • Extremely Low Minority Carrier Lifetime – 15 ps (Typ) • Very Low Capacitance – 1.0 pF @ VR = 20 V • High Reverse Voltage – to 70 Volts • Low Reverse Leakage – 200 nA (Max) 描述与应用| 双机热载波混频器二极管 •极低的少数载流子寿命 - 15 PS（典型值） •非常低的电容 - 1.0 PF@ VR= 20 V •高反向电压 - 70伏特 •低反向漏 - 为200 nA（最大值）
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
肖特基二极管 Schottky Barrier Diode
Micro Commercial Components（美微科）
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBD701LT1G. 肖特基二极管
ON Semiconductor（安森美）
MMBD701LT1 肖特基二极管 70V 10mA 1V SOT-23/SC-59 marking/标记 5H
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