| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 300 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.75 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 225 mW |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 输入电容 | 45.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 62 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 300 mA |
| 上升时间 | 2.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 45pF @5V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 下降时间 | 0.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 225mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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功率MOSFET 300毫安， 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
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ON SEMICONDUCTOR MMBF0201NLT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V
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