| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 输入电容 | 40.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 40pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 500MA 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | VGS = 10V, ID = 200mA RDS=1.5~5Ω 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.8~3v 耗散功率Pd Power dissipation | 300mw 描述与应用 Description & Applications | n沟道增强型场效应晶体管 ■高密度细胞设计低RDS(上)。 ■小信号电压控制开关。 ■坚固和可靠的。 ■高饱和电流的能力。
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