| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 5 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 mW |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 输入电容 | 40.0 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 70.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 40pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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功率MOSFET500毫安，60 VN沟道SOT-23高密度电池设计的低RDS（ON）电压控制小信号开关坚固，可靠。高饱和电流能力
Diodes Zetex（捷特科）
N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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