| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 10.0 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 mW |
| 输入电容 | 5.00 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 25.0 V |
| 栅源击穿电压 | 25.0 V |
| 击穿电压 | 25 V |
| 输入电容值(Ciss) | 5pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 25v \---|--- 栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage| -25v 漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current| 1~5ma 关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage| -0.3~-3v 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| •N-Channel RF Amplifier This device is designed primarily for electronic switching applications such as low On Resistance analog switching. 描述与应用| •N沟道RF放大器这个装置主要用于电子开关设计 应用：如低导通电阻模拟开关。
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF5484. 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 1 mA, 5 mA, -3 V, SOT-23, JFET
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor MMBF5484 N通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: 1 → 5mA, 3引脚 SOT-23封装
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JFET晶体管N通道 JFET Transistor N−Channel
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MMBF5484LT1 N沟道结型场效应管 25v 1~5mA SOT-23 marking/标记 M6BH 电子开关
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