| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -25.0 V |
| 额定电流 | 30 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 225 mW |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 击穿电压 | -25.0 V |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 225 mW |
| 输入电容 | 5 pf |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 栅源击穿电压 | 25.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 mA |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 225 mW |
| 额定电压 | 25 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.01 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
N 通道 JFET，ON Semiconductor
●### JFET 晶体管
●一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
ON Semiconductor（安森美）
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JFET - VHF / UHF放大器晶体管N通道 JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
Fairchild（飞兆/仙童）
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ON SEMICONDUCTOR MMBFJ309LT1G 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 12 mA, 30 mA, -4 V, SOT-23, JFET
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