类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 250 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -45.0 V |
额定电流 | -500 mA |
封装 | SOT-23-3 |
功耗 | 0.35 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 5V |
额定功率(Max) | 350 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 350 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.93 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~350 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA 描述与应用| PNP外延平面晶体管 PNP通用放大器 此装置是专为通用放大器应用在集电极电流300毫安而设计
Fairchild(飞兆/仙童)
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