| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 300 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 350 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.35 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 75V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 30~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 0.3V~1V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN General Purpose Amplifier This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA. Sourced from Process 19. 描述与应用| NPN通用放大器 这个装置是用于作为一个中等功率的放大器和开关 要求集电极电流高达500 mA。来源从工艺19。
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2222 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE
ON Semiconductor（安森美）
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) MMBT2222 M1B SOT-23 100-200
Micro Commercial Components（美微科）
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