| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 300 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 600 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 功耗 | 0.3 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 75V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250Mh~300Mhz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~300
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 0.3V~1V
●耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W
●Description & Applications| Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish
●描述与应用| 可能提供无铅封装。 G-后缀表示 无铅牵头完成
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2222 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE
ON Semiconductor（安森美）
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) MMBT2222 M1B SOT-23 100-200
Micro Commercial Components（美微科）
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