MMBT2222AWT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:	ON Semiconductor（安森美）
分类:	双极性晶体管
封装:	SC-70-3
描述:	NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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MMBT2222AWT1G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
频率	300 MHz
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	40.0 V
额定电流	28.0 A
封装	SC-70-3
针脚数	3 Position
极性	NPN
功耗	150 mW
击穿电压(集电极-发射极)	40 V
集电极最大允许电流	0.6A
最小电流放大倍数	100 @150mA, 10V
额定功率(Max)	150 mW
直流电流增益(hFE)	300
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	150 mW

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MMBT2222AWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
材质	Silicon
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
高度	1 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBT2222AWT1G 符合标准

MMBT2222AWT1G 海关信息

MMBT2222AWT1G 概述

MMBT2222AWT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.13 MByte

MMBT2222AWT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.1 MByte

MMBT2222AWT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.12 MByte

MMBT2222AWT1G 产品修订记录

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9 页 / 1.55 MByte

MMBT2222AWT1G 产品手册

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6 页 / 0.08 MByte

MMBT2222AWT1G 其他参考文件

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MMBT2222AWT1 数据手册

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Willas

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NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

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