| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 15.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 225 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 15 V |
| 最小电流放大倍数 | 40 @10mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 40 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.35 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.97 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~500mV 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturation switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21. 描述与应用| NPN开关晶体管 该设备是专为高速饱和开关集电极 10 mA至100 mA的电流
Fairchild（飞兆/仙童）
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2369 单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFE
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管 双极, NPN, 15 V, 350 mW, 200 mA, 40 hFE
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
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