类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -150 mA |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
集电极最大允许电流 | 0.6A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Feature Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available MMBT2222A deal for Medium Power Amplification and Switching 描述与应用| PNP外延平面晶体管 PNP小信号表面贴装晶体管 特点 外延平面电路小片建设 互补NPN类型可用MMBT2222A 处理中等功率放大和开关
Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Diodes(美台)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2907. 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
National Semiconductor(美国国家半导体)
Micro Commercial Components(美微科)
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