| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 200 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -600 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | Dual P-Channel |
| 功耗 | 0.3 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor General Purpose Transisters Features • Pb−Free Packages 描述与应用| PNP外延平面晶体管 通用Transisters 特点 •无铅封装
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT2907. 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE
National Semiconductor（美国国家半导体）
Micro Commercial Components（美微科）
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