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MMBT2907ALT1G
来自 AiPCBA

MMBT2907ALT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SOT-23-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE
PDF文件:MMBT2907ALT1G 数据手册 (6 页)封装尺寸在6 页
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MMBT2907ALT1G 数据手册 (6 页)
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MMBT2907ALT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率200 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-600 mA
封装SOT-23-3
额定功率300 mW
针脚数3 Position
极性PNP
功耗225 mW
输入电容30 pF
上升时间40 ns
击穿电压(集电极-发射极)60 V
集电极最大允许电流0.6A
最小电流放大倍数100 @150mA, 10V
额定功率(Max)300 mW
直流电流增益(hFE)200
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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MMBT2907ALT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度3.04 mm
宽度1.3 mm
高度0.94 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBT2907ALT1G 数据手册

MMBT2907ALT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.11 MByte
MMBT2907ALT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
14 页 / 0.05 MByte
MMBT2907ALT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.17 MByte
MMBT2907ALT1G 其他参考文件
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1 页 / 0.14 MByte

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