| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 300 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 200 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 350 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @10mA, 1V |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV~300mV 耗散功率PcPower Dissipation | Description & Applications | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. ® As complementary type, the PNP transistor MMBT3906 is recommended. ® This transistor is also available in the TO-92 case with the type designation 2N3904. 描述与应用 | NPN硅外延平面晶体管 开关和放大器应用。 ®作为互补型，PNP 晶体管MMBT3906推荐。 ®这个晶体管也可以在TO-92 同类型案件指定2N3904。
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