| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 300 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.31 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @10mA, 1V |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温 | -55℃ ~ 150℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.05 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~300mV 耗散功率PcPower Dissipation| Description & Applications| 40V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (MMBT3906) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 描述与应用| 40V NPN小信号表面贴装晶体管 外延平面电路小片建设 •互补PNP类型可用（MMBT3906） •非常适于中等功率放大和开关 •完全无铅完全符合RoHS标准（注1及2） •卤素和锑免费。 “绿色”设备（注3） •符合AEC-Q101标准的高可靠性
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Diodes Zetex（捷特科）
NPN 晶体管，Diodes Inc### 双极晶体管，Diodes Inc### 晶体管，Diodes Inc
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