| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300Mhz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~300
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~300mV
●耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W
●Description & Applications| Pb−Free Packages are Available
●描述与应用| 提供无铅封装
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT3904 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 200 mA, 300 hFE
ON Semiconductor（安森美）
通用放大器晶体管表面贴装 GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
ST Microelectronics（意法半导体）
小信号NPN晶体管 SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
NXP（恩智浦）
NPN开关晶体管 NPN switching transistor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT23 NPN 0.2A 40V G enPur
Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.2A NPN transistor
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