| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 250 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -40.0 V |
| 额定电流 | -200 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 增益频宽积 | 250 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 最小电流放大倍数 | 100 @10mA, 1V |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA. 描述与应用| PNP外延平面晶体管 PNP通用放大器 这个装置是专为通用放大器和开关应用在集电极电流为10μA至100 mA的。
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