类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
集电极最大允许电流 | 200mA |
最小电流放大倍数 | 100 |
最大电流放大倍数 | 300 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V
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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −200mA/-0.2A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300
●管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V
●耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W
●Description & Applications| Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary type MMBT3904 Epitaxial planar die construction
●描述与应用| 塑料封装晶体管 特点 互补型MMBT3904 外延平面模建设
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