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MMBT3906TT1G
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MMBT3906TT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SC-75-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906TT1G  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 200 mW, -200 mA, 30 hFE
PDF文件:MMBT3906TT1G 数据手册 (7 页)封装尺寸在7 页
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MMBT3906TT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率250 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-40.0 V
额定电流-200 mA
封装SC-75-3
针脚数3 Position
极性PNP, P-Channel
功耗200 mW
击穿电压(集电极-发射极)40 V
集电极最大允许电流0.2A
最小电流放大倍数100 @10mA, 1V
额定功率(Max)200 mW
直流电流增益(hFE)300
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300 mW
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MMBT3906TT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度1.65 mm
宽度0.9 mm
高度0.8 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBT3906TT1G 数据手册

MMBT3906TT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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